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基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管

4502020/06/03
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于介质调制的复合源场板异质结场效应晶体管,主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括:衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、台面(6)、钝化层(9)和保护层(13);源极与漏极之间的势垒层内刻有栅槽(7),栅槽(7)内淀积有栅极(8),栅极与漏极之间的钝化层(9)内刻有凹槽(10),凹槽(10)内完全填充有高介电常数介质(11),钝化层(9)与保护层(13)之间淀积有源场板(12),该源场板与源极电气连接,源场板(12)与高介电常数介质(11)构成复合源场板。本发明具有制作工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。
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交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2021/06/03
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 联系人邮箱 745490733@qq.com
  • 分享至:

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